• Центр приема заказов8 (3822) 52-98-49
  • Заправка картриджей8 (913) 109-0009
  • Директор8 (3822) 53-15-28
  • Главный редактор8 (3822) 52-96-75

Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники

Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники
А.В. Войцеховский, И.И. Ижнин, В.П. Савчин, Н.М. Вакив

   Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники: учебное пособие. – Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2013. – 560 c. + + 2 стр. вклеек
   ISBN 978-5-9462-1411-7
   Учебное пособие, состоящее из двух частей, посвящено полупроводниковой фото-электронике. В первой части изложены физические принципы фотоэлектрических явлений  в  полупроводниках  и  полупроводниковых  структурах,  в частности  квантово-размерных. Во второй части рассмотрены физические принципы работы, конструкции и основные характеристики целого ряда полупроводниковых фотоприемников, как дискретных, так и многоэлементных.
   Для студентов старших курсов высших учебных заведений физических, радиофизических и физико-технических специальностей, аспирантов и специалистов, работающих в области фотоэлектроники.

Лидеры продаж