Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники
![Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники](/upload/resize_cache/iblock/c9e/450_800_1/c9ecd467048d68e30a2d24b5d4163d80.jpg)
Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники: учебное пособие. – Томск: Издательский Дом Томского государственного университета, 2013. – 560 c. + + 2 стр. вклеек
ISBN 978-5-9462-1411-7
Учебное пособие, состоящее из двух частей, посвящено полупроводниковой фото-электронике. В первой части изложены физические принципы фотоэлектрических явлений в полупроводниках и полупроводниковых структурах, в частности квантово-размерных. Во второй части рассмотрены физические принципы работы, конструкции и основные характеристики целого ряда полупроводниковых фотоприемников, как дискретных, так и многоэлементных.
Для студентов старших курсов высших учебных заведений физических, радиофизических и физико-технических специальностей, аспирантов и специалистов, работающих в области фотоэлектроники.